เมมริสเตอร์ (อังกฤษ: memristor) มาจากคำว่า เมมโมรี บวก รีซิสเตอร์ กลายเป็น "ตัวต้านทานหน่วยความจำ") เป็นจินตนาการเดิมในปี ค.ศ. 1971 โดยนักทฤษฎีวงจร Leon Chua ว่าเป็นชิ้นส่วนที่หายไป ซึ่งเป็นชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แบบพาสซีฟเชิงเส้นสองขั้วที่เกี่ยวข้องกับประจุไฟฟ้าและ magnetic flux linkage เมมริสเตอร์กำลังอยู่ในระหว่างการพัฒนาโดยทีมงานต่าง ๆ รวมทั้งฮิวเลตต์แพคการ์ด, SK Hynix และ HRL Labเมื่อกระแสไหลผ่านเมมริสเตอร์ในทิศทางหนึ่ง ความต้านทานของมันจะเพิ่มขึ้น แต่เมื่อกระแสไหลในทิศทางตรงกันข้าม ความต้านทานกลับลดลง เมื่อกระแสหยุดไหล ความต้านทานของเมมริสเตอร์กลับเป็นเท่าเดิม หลังจากนี้เมื่อมีกระแสไหลผ่านอีก ความต้านทานก็จะไม่เปลี่ยนแล้วในปี ค.ศ. 2008 ทีมที่ HP Labs [1] ได้ประกาศการก้าวหน้าของเมมริสเตอร์บนแผ่นฟิล์มบางของไทเทเนียมไดออกไซด์. อุปกรณ์นี้มีวัตถุประสงค์สำหรับใช้เป็นหน่วยความจำนาโนอิเล็กทรอนิคส์, ลอจิกของคอมพิวเตอร์และสถาปัตยกรรมคอมพิวเตอร์ neuromorphic. ในเดือนตุลาคม ค.ศ. 2011 ทีมประกาศว่าจะมีในเชิงพาณิชย์ภายใน 18 เดือนเพื่อทดเแทน Flash ไดรฟ์, SSD, DRAM และ SRAM. ในเดือนมีนาคม ค.ศ. 2012, ทีมนักวิจัยจาก HRL และมหาวิทยาลัยมิชิแกนประกาศการทำงานเป็นครั้งแรกของเมมริสเตอร์อาร์เรย์ที่สร้างขึ้นบนชิป CMOS.